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机译:局部热氧化后表面浅沟槽硅衬底的残余应力
Hideo Miura; Naoto Saito; Hiroyuki Ohta; Noriaki Okamoto;
机译:局部热氧化后表面浅沟槽硅衬底中的残余应力
机译:研究和估算晶体硅衬底表面形成的多孔硅层中的残余应力
机译:用拉曼光谱法评估铜金属化氮化硅衬底中的残余热应力
机译:光学干涉测量法在硅基板上的二氧化硅膜中的平面内残余应力。
机译:残余热应力对氮化硅基复合材料力学性能的影响
机译:热氧化后硅基衬底中的残余应力测量。
机译:在硅衬底中形成浅隔离沟槽或氧化物隔离区
机译:在热氧化硅衬底层上形成具有减弱的表面敏感性的臭氧-氧化硅氧化硅介电层的热氧化方法
机译:微电子结构的制造包括在衬底表面上形成一组开口,形成膜叠层,在结构的一部分上暴露氧化物层和硅层以及热氮化硅层。
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