机译:SiC中悬空键缺陷的从头算研究
机译:SIC悬空债券缺陷:AB Initio研究
机译:氢化从头算计算对悬空键自由4H-SiC(1120)/ SiO_2界面的影响
机译:从头开始研究立方SiC的天然缺陷:空位和堆垛层错
机译:单层MoS2中的筛选,缺陷和悬空键引起的光学损伤阈值
机译:具有可调Si悬空键传导路径的基于a-SiNx:H的超低功耗电阻式随机存取存储器
机译:AB Initio研究了3C SiC中内在和外在Ag点缺陷的稳定性研究
机译:隧道光谱法研究局域化si-Dingling-Bond缺陷的电子结构