机译:使用超低泄漏和增强的移动性Sub-10?NM氧化物在MOS 2 sub>上的集成
机译:以AlGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管的热氧化Al层为栅极电介质来抑制栅极泄漏并提高击穿电压
机译:栅极隧穿泄漏对具有超薄栅极氧化物的NMOS晶体管工作的影响
机译:低泄漏,超薄栅极氧化物,用于超高性能低于100 nm的nMOSFET
机译:将超薄(1.6-2.0 nm)RPECVD堆叠的氧化物/氮氧化物栅极电介质集成到双多晶硅栅极亚微米CMOSFET中。
机译:超低泄漏和增强迁移率的MoS2上亚10 nm栅氧化物的集成
机译:多晶硅栅极增强了随机掺杂剂引起的具有超薄栅极氧化物的亚100nm mOsFET的阈值电压波动