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MOCVD growth of gallium and indium microparticles for SERS applications

机译：MOCVD镓和铟微粒的SERS应用

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Ewa Dumiszewska; Piotr Caban; Iwona Jóźwik; Paweł Ciepielewski; Jacek M. Baranowski;
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年度 2021
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1. MOCVD growth of gallium and indium microparticles for SERS applications [J] . Ewa Dumiszewska, Piotr Caban, Iwona Jozwik, Journal of materials science . 2021,第7期

机译：MOCVD镓和铟微粒的SERS应用
2. Enhanced indium phosphide substrate protection for liquid phase epitaxy growth of indium‐gallium‐arsenide‐phosphide double heterostructure lasers [J] . Journal of Applied Physics . 1983,第2期

机译：增强的磷化铟衬底保护层，用于铟镓镓砷化物磷化双异质结构激光器的液相外延生长
3. MOCVD-derived highly transparent, conductive zinc- and tin-doped indium oxide thin films: Precursor synthesis, metastable phase film growth and characterization, and application as anodes in polymer light-emitting diodes [J] . Ni J, Yan H, Wang AC, Journal of the American Chemical Society . 2005,第15期

机译：MOCVD衍生的高透明，导电的锌和锡掺杂的氧化铟薄膜：前驱体合成，亚稳相膜的生长和表征，以及在聚合物发光二极管中用作阳极
4. Growth of Indium Gallium Arsenide Thin Film on Silicon Substrate by MOCVD Technique [C] . Sisir Chowdhury, Anish Das, Pallab Banerji International Conference on Condensed Matter and Applied Physics . 2017

机译：MOCVD技术在硅衬底上的铟镓砷薄膜的生长
5. Piezoelectric indium gallium arsenide/gallium arsenide strained quantum well structures on (111)A gallium arsenide: MOVPE growth, properties, and application to semiconductor lasers. [D] . Kim, Jongseok. 2003

机译：（111）A砷化镓上的压电铟砷化镓/砷化镓应变量子阱结构：MOVPE的生长，性质及其在半导体激光器中的应用。
6. Real Time Spectroscopic Ellipsometry Analysis of First Stage CuIn1−xGaxSe2 Growth: Indium-Gallium Selenide Co-Evaporation [O] . Puja Pradhan, Puruswottam Aryal, Dinesh Attygalle, 2018

机译：第一阶段CuIn1-xGaxSe2生长的实时光谱椭偏分析：铟镓硒共蒸发
7. Characteristics of Indium-Gallium-Nitride Multiple-Quantum-Well Blue Laser Diodes Grown by MOCVD [O] . M.P. Mack, A. Abare, M. Aizcorbe, 1997

机译：MOCVD种植的铟 - 氮化铟 - 氮化物多量子井蓝色激光二极管的特征
8. Exploiting the Negative Polarization Properties of Indium Gallium Nitride (InGaN)/Gallium Nitride (GaN) Heterostructures to Achieve Frequency Doubled Blue-green Lasers with Deep UV (<250 nm) Emission (Year 2). [R] . Reed, M., Readinger, E. D. 2011

机译：利用氮化铟镓（InGaN）/氮化镓（GaN）异质结构的负极化特性实现具有深紫外（<250nm）发射的频率倍增蓝绿激光（2年级）。

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