机译:来自超薄GaN / AlN MQW结构的深紫外光源,输出功率超过2瓦
机译:来自Ulthathin GaN / Aln MQW结构的深紫外光源,输出功率超过2瓦
机译:通过AlN杂化纳米结构增强265 nm深紫外发光二极管的光提取能力,输出功率超过90 mW
机译:通过使用AGPDCU反射器改善紫外线发光二极管的光输出功率
机译:基于(Al,Ga)N / GaN半导体异质结构的深紫外线发射器
机译:GaN / AlGaN /溅射AlN成核层对GaN基紫外发光二极管性能的影响
机译:超薄mBE GaN / alN在219 nm处的高效深紫外发射 量子异质结构