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【2h】

On the RF Properties of Weakly Saturated SiGe HBTs and Their Potential Use in Ultralow-Voltage Circuits

机译：弱饱和siGe HBT的射频特性及其在超低压电路中的潜在用途

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Sachin Seth; Laleh Najafizadeh; John D. Cressler;
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年度 2011
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1. On the RF Properties of Weakly Saturated SiGe HBTs and Their Potential Use in Ultralow-Voltage Circuits [J] . Seth S., Najafizadeh L., Cressler J. D. Electron Device Letters, IEEE . 2011,第1期

机译：弱饱和SiGe HBT的RF特性及其在超低压电路中的潜在应用
2. A 1.0 V, 10–22 GHz, 4 mW LNA Utilizing Weakly Saturated SiGe HBTs for Single-Chip, Low-Power, Remote Sensing Applications [J] . Inanlou F., Coen C.T., Cressler J.D. Microwave and Wireless Components Letters, IEEE . 2014,第12期

机译：利用弱饱和SiGe HBT的1.0 V，10-22 GHz，4 mW LNA，用于单芯片，低功耗，遥感应用
3. Frequency and Bias-Dependent Modeling of Correlated Base and Collector Current RF Noise in SiGe HBTs Using Quasi-Static Equivalent Circuit [J] . Kejun Xia, Gubfu Niu, David C. Sheridan, IEEE Transactions on Electron Devices . 2006,第3期

机译：使用准静态等效电路的SiGe HBT中相关基极和集电极电流RF噪声的频率和偏置相关建模
4. An investigation of the temperature dependent linearity of weakly-saturated, electrically-matched SiGe NPN and PNP HBTs [C] . Seungwoo Jung, Song Peter, Song Ickhyun, IEEE Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in Rf Systems . 2014

机译：弱饱和电匹配SiGe NPN和PNP HBT的温度相关线性研究
5. Power-Derived Thermal Characterization of SiGe HBTs and Design of Timing Circuit using a Phase Locked-Loop. [D] . Shah, Valay Dineshbhai. 2016

机译：SiGe HBT的功率衍生热表征和使用锁相环的定时电路设计。
6. Mitigation of Single-Event Effects in SiGe-HBT Current-Mode Logic Circuits [O] . Md Arifur R. Sarker, Seungwoo Jung, Adrian Ildefonso, 2020

机译：缓解SiGe-HBT电流模式逻辑电路中的单事件效应
7. A D-band SPDT switch utilizing reverse-saturated SiGe HBTs for dicke-radiometers [O] . Barbaros Cetindogan, Berktug Ustundag, Esref Turkmen, 2018

机译：用于Dicke-辐射仪的反向饱和SiGE HBT的D波段SPDT开关

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