A STUDY ON 6T SRAM AND 7T SRAM CELLS

机译：6T SRAM和7T SRAM细胞的研究

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JenniferEunice.R .;
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年度 2018
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1. Comparison of Conventional 6T SRAM cell and FinFET based 6T SRAM Cell Parameters at 45nm Technology [J] . Deepali Verma, Shyam Babu, Shyam Akashe International Journal of Advanced Computer Research . 2015,第21期

机译：常规6T SRAM单元和基于FinFET的45nm技术的6T SRAM单元参数的比较
2. Carbon Nanotube-Based CMOS SRAM: 1 kbit 6T SRAM Arrays and 10T SRAM Cells [J] . Kanhaiya Pritpal S., Lau Christian, Hills Gage, IEEE Transactions on Electron Devices . 2019,第12期

机译：基于碳纳米管的CMOS SRAM：1 kbit 6T SRAM阵列和10T SRAM单元
3. Comparative Analysis of 6T, 7T Conventional CMOS and CNTFET Based SRAM Cell Design [J] . Kumar Hemant, Srivastava Subodh, Singh Balwinder Advanced Science, Engineering and Medicine . 2019,第1a2期

机译：6T，7T常规CMOS和基于CNTFET基于SRAM细胞设计的对比分析
4. Comparative Study of 7T, 8T, 9T and 10T SRAM with Conventional 6T SRAM Cell Using 180 nm Technology [C] . Vinod Kumar Joshi, Haniel Craig Lobo International Conference on Advanced Computing and Communication Technologies . 2016

机译：使用180nm技术对常规6T SRAM细胞7T，8T，9T和10T SRAM的比较研究
5. Performance Analysis of 7nm FinFET Based 6t SRAM Cell – Transient and DC Analysis [D] . Khan, Sheebasamreen. 2021

机译：基于7NM FinFET的6T SRAM细胞瞬态和DC分析性能分析
6. Power optimized variation aware dual-threshold SRAM cell design technique [O] . Aminul Islam, Mohd Hasan 2011

机译：功耗优化的变化感知双阈值SRAM单元设计技术
7. Design of High Speed Single Ended 6T and 8T SRAM Cells [O] . Mohanachandrika O 2019

机译：高速单端6T和8T SRAM细胞的设计
8. SEU (Single Event Upset) Tolerant Memory Cell Derived from Fundamental Studies of SEU Mechanisms in SRAM (Static Random Access Memories) [R] . Weaver, H. T. , Axness, C. L. , McBrayer, J. D. , 1987

机译：sEU（单事件翻转）容忍存储器单元源自sRam中的sEU机制的基础研究（静态随机存取存储器）

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