机译:In0.52al0.48as与Inp近红外单光子雪崩光电二极管击穿行为的理论比较
机译:栅几何嵌入式纳米级$ hbox {In} _ {0.52} hbox {Al} _ {0.48} hbox {As} $ – $ hbox {In} _ {0.53} hbox {Ga} _ {0.47} hbox {As} $双门HEMT高故障率
机译:$ hbox {In} _ {0.52} hbox {Al} _ {0.48} hbox {As / In} _ {m} hbox {Ga} _ {1-m} hbox的微波和噪声性能表征的温度相关分析模型{As} $ $(hbox {0.53} leq m leq hbox {0.8})$ DG-HEMT
机译:基于原子层蚀刻的高性能两步式工艺$ hbox {In} _ {0.52} hbox {Al} _ {0.48} hbox {As} hbox {/} hbox {In} _ {0.53} hbox {Ga} _ {0.47} hbox {As} $ p-HEMT
机译:长波长,宽光谱响应(0.8-1.8μm)Al
机译:用于近红外检测的自猝灭单光子雪崩光电二极管。
机译:棘突类hbox12 / pmar1 / micro1多基因家族的时空表达和拷贝数变异的多样性
机译:In0.52al0.48as与Inp近红外单光子雪崩光电二极管击穿行为的理论比较