机译:具有浅源极结和轻掺杂漏极的双垫片I-MOS晶体管,可降低工作电压并增强器件性能
机译:源/排水延长掺杂工程,用于3NM节点FinFET中的可变性抑制和性能增强
机译:非易失性可编程均匀横向MOTE2结,用于多比特闪存和高性能光电子
机译:通过重新填充信号作为源极和漏极,通过应变工程来增强MOSFET的电性能
机译:使用纳米结构的多结太阳能电池的带隙工程,可提高其在集中照明下的性能。
机译:在HfO2 / Si(100)上集成无铅铁电体用于高性能非易失性存储应用
机译:改善水处理的手段,提高水源热泵电力工程性能