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【2h】

Charge trap layer enabled positive tunable Vfb in β-Ga2O3 gate stacks for enhancement mode transistors

机译：电荷陷阱层在β-GA2O3栅极堆栈中启用了正调谐VFB，用于增强模式晶体管

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Dipankar Biswas; Chandan Joishi; Jayeeta Biswas; Prabhans Tiwari; Saurabh Lodha;
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年度 2020
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1. Charge trap layer enabled positive tunable V_(fb) in β-Ga_2O_3 gate stacks for enhancement mode transistors [J] . Dipankar Biswas, Chandan Joishi, Jayeeta Biswas, Applied Physics Letters . 2020,第17期

机译：电荷陷阱层在β-GA_2O_3栅极堆栈中启用了正调谐V_（FB），用于增强模式晶体管
2. A Charge-Trapping Model for the Fast Component of Positive Bias Temperature Instability (PBTI) in High- (kappa ) Gate-Stacks [J] . Vandelli L., Larcher L., Veksler D., Electron Devices, IEEE Transactions on . 2014,第7期

机译：高（kappa）门堆叠中正偏置温度不稳定性（PBTI）的快速分量的电荷捕获模型
3. Impact of Charge-Trap Layer Conductivity Control on Device Performances of Top-Gate Memory Thin-Film Transistors Using IGZO Channel and ZnO Charge-Trap Layer [J] . Bak J.Y., Ryu M., Park S.H.K., Electron Devices, IEEE Transactions on . 2014,第7期

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4. Charge trapping and wearout characteristics of self-aligned enhancement-mode GaAs n-MOSFET with Si interface passivation layer and HfO{sub}2 gate oxide [C] . Feng Zhu, H. Zhao, I. Ok, IEEE Compound Semiconductor Integrated Circuits Symposium . 2008

机译：具有SI接口钝化层和HFO {SUB} 2栅极栅极栅极自对准增强型GA-MOSFET的电荷捕获和磨损特性
5. Charge trapping effects on mobility and threshold voltage instability in high-k gate stacks. [D] . Sim, Jang Hoan. 2005

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6. Transistor Memory: 45‐Diazafluorene‐Based Donor–Acceptor Small Molecules as Charge Trapping Elements for Tunable Nonvolatile Organic Transistor Memory (Adv. Sci. 12/2018) [O] . Yang Yu, Lin‐Yi Bian, Jian‐Guo Chen, 2018

机译：晶体管存储器：45-二氮杂芴基供体-受体小分子作为可调非易失性有机晶体管存储器的电荷俘获元件（Adv。Sci。12/2018）
7. Instability in In0.7Ga0.3As Quantum-Well MOSFETs with Single-Layer Al2O3 and Bi-Layer Al2O3/HfO2 Gate Stacks Caused by Charge Trapping under Positive Bias Temperature (PBT) Stress [O] . Hyuk-Min Kwon, Dae-Hyun Kim, Tae-Woo Kim 2020

机译：在In0.7ga0.3as的不稳定性，用单层AL2O3和双层AL2O3 / HFO2栅极堆叠在正偏置温度（PBT）应力下引起的单层AL2O3和双层AL2O3 / HFO2堆叠

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