首页> 外文OA文献 >Raman Scattering and Efficient UV Photoluminescence from Well-Aligned ZnO Nanowires Epitaxially Grown on GaN Buffer Layer

【2h】

Raman Scattering and Efficient UV Photoluminescence from Well-Aligned ZnO Nanowires Epitaxially Grown on GaN Buffer Layer

机译：GaN缓冲层外延生长良好的ZnO纳米线的拉曼散射和高效紫外光致发光

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Hsin-Ming Cheng; Yung-Kuan Tseng; Li-Jiaun Lin; Wen-Feng Hsieh;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2005
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Effect of annealing on photoluminescence and Raman scattering of Sb-doped ZnO epitaxial layers grown on a-Al2O3 [J] . Paradowska K. M., Przezdziecka E., Placzek-Popko E., Journal of Alloys and Compounds: An Interdisciplinary Journal of Materials Science and Solid-state Chemistry and Physics . 2019,第期

机译：在A-Al2O3上生长的Sb掺杂ZnO外延层的光致发光与拉曼散射的影响
2. ZnO epitaxial layers grown on nitridated Si(100) substrate with HT-GaN/LT-ZnO double buffer [J] . S.P. Chang, S.J. Chang, Y.Z. Chiou, Journal of Crystal Growth . 2008,第2期

机译：使用HT-GaN / LT-ZnO双缓冲层在氮化Si（100）衬底上生长的ZnO外延层
3. Photoluminescence study of ZnO nanowires grown by thermal evaporation on pulsed laser deposited ZnO buffer layer [J] . Antaryami Mohanta, Raj K. Thareja Journal of Applied Physics . 2008,第4期

机译：脉冲激光沉积ZnO缓冲层上热蒸发生长ZnO纳米线的光致发光研究
4. HRXRD Study of Epitaxial GaN Films Grown on ZnO Buffer Layers by Magnetron Sputtering [C] . P. Mohanta, D. Singh, R. Kumar, DAE Solid State Physics Symposium . 2011

机译：磁控溅射在ZnO缓冲层上生长的外延GaN薄膜的HRXRD研究
5. Photoluminescence and Resonance Raman Spectroscopy of MOCVD Grown GaAs/AlGaAs Core-Shell Nanowires. [D] . Leaffer, Oren D. 2013

机译：MOCVD生长的GaAs / AlGaAs核壳纳米线的光致发光和共振拉曼光谱。
6. Ultralow threading dislocation density in GaN epilayer on near-strain-free GaN compliant buffer layer and its applications in hetero-epitaxial LEDs [O] . Huan-Yu Shih, Makoto Shiojiri, Ching-Hsiang Chen, -1

机译：接近无应变的GaN兼容缓冲层上GaN外延层中的超低穿线位错密度及其在异质外延LED中的应用
7. Analysis of the Efficient High-Temperature in Situ Photoluminescence from GaN Layers during Epitaxial Growth [O] . Christoph Prall, Daniel Erni, Dirk Rueter 2017

机译：外延生长中GaN层高效原位光致发光分析
8. Proximity Effects of Beryllium-Doped GaN Buffer Layers on the Electronic Properties of Epitaxial AlGaN/GaN Heterostructures [R] . Storm, D. F., Katzer, D. S., Deen, D. A., 2010

机译：铍掺杂GaN缓冲层对外延alGaN / GaN异质结构电子性质的邻近效应

Raman Scattering and Efficient UV Photoluminescence from Well-Aligned ZnO Nanowires Epitaxially Grown on GaN Buffer Layer

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅