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【2h】

Active dopant profiling and Ohmic contacts behavior in degenerate n-type implanted silicon carbide

机译：稀释N型植入碳化硅中的主动掺杂剂分析和欧姆接触行为

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Monia Spera; Giuseppe Greco; Andrea Severino; Marilena Vivona; Patrick Fiorenza; Filippo Giannazzo; Fabrizio Roccaforte;
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年度 2020
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1. Active dopant profiling and Ohmic contacts behavior in degenerate n-type implanted silicon carbide [J] . Monia Spera, Giuseppe Greco, Andrea Severino, Applied Physics Letters . 2020,第1期

机译：稀释N型植入碳化硅中的主动掺杂剂分析和欧姆接触行为
2. Ohmic contacts on n-type and p-type cubic silicon carbide (3C-SiC) grown on silicon [J] . Spera M., Greco G., Lo Nigro R., Materials science in semiconductor processing . 2019,第期

机译：在硅片生长的N型和P型立方碳化硅（3C-SIC）上的欧姆接触
3. Graphene Ohmic Contacts to n-type Silicon Carbide (0001) [J] . Stefan Hertel, Andreas Finkler, Michael Krieger, Materials science forum . 2015,第期

机译：石墨烯与n型碳化硅的欧姆接触（0001）
4. Ohmic Contacts with heterojunction structure to N-type 4H-Silicon Carbide by N~+ Polysilicon Film [C] . Hui Guo, Qian Feng, Dayong Qiao, International Conference on Thin Film Physics and Applications . 2008

机译：通过N〜+多晶硅膜与异质结结构的欧姆接触，N型4H-碳化硅
5. Interfacial reactions in nickel/titanium ohmic contacts to N-type silicon carbide. [D] . Park, Jae Hyun. 2003

机译：镍/钛欧姆接触中与N型碳化硅的界面反应。
6. Contactless nondestructive determination of dopant profiles of localized boron-diffused regions in silicon wafers at room temperature [O] . Hieu T. Nguyen, Zhuofeng Li, Young-Joon Han, -1

机译：室温下非接触式无损确定硅晶圆中局部硼扩散区的掺杂剂分布
7. Development of an Extreme High Temperature n-type Ohmic Contact to Silicon Carbide [O] . Evans, Laura J., Okojie, Robert S., Lukco, Dorothy 2011

机译：碳化硅极高温n型欧姆接触的开发

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