机译:GaInN发光二极管通过对p型区域进行单独的外延生长以获得极化反转的电子阻挡层,减少电子泄漏并改善空穴注入
机译:GalnN发光二极管对p型区域使用单独的外延生长以获得极化反转的电子阻挡层,减少了电子泄漏,并改善了空穴注入
机译:具有电子阻挡层的InGaN / GaN多量子阱发光二极管中改进的蓝色电致发光
机译:用P型电子阻挡层和N型空穴阻挡层的蓝色IngaN发光二极管的调制性能
机译:在生物有机发光二极管中使用DNA电子阻挡层提高了发光效率和亮度。
机译:具有高镁掺杂效率的特别设计的超晶格p型电子阻挡层的几乎无效率下降的基于AlGaN的紫外线发光二极管
机译:通过P型MGZNO电子阻挡层增强MgZnO / ZnO多量子阱发光二极管的紫外线发光二极管