首页> 外文OA文献 >High‐temperature annealing characteristics of tungsten and tungsten nitride Schottky contacts to GaAs under different annealing conditions

【2h】

High‐temperature annealing characteristics of tungsten and tungsten nitride Schottky contacts to GaAs under different annealing conditions

机译：不同退火条件下GaAs钨和钨氮化钨梭触头的高温退火特性

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Kin Man Yu; J. M. Jaklevic; E. E. Haller; S. K. Cheung; P. S. Kwok;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 1988
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Electrical and structural properties of tungsten Schottky contacts to p-type InP at different annealing temperatures [J] . V. Rajagopal Reddy, D. Sri Silpa, Hyung-Joong Yun, Superlattices and microstructures . 2014,第jula期

机译：钨肖特基触头在不同退火温度下与p型InP的电和结构性质
2. Thermal annealing effect on electrical and structural properties of Tungsten Carbide Schottky contacts on AlGaN/GaN heterostructures [J] . Greco G., Di Franco S., Bongiorno C., Semiconductor science and technology . 2020,第10期

机译：Algan / GaN异质结构上钨碳化钨梭触头电气和结构性能的热退火效应
3. Thermal stability of tungsten and tungsten nitride Schottky contacts to AlGaN/GaN [J] . Liu Fang, Qin Zhi-Xin, Xu Fu-Jun, 中国物理：英文版 . 2011,第006期

机译：钨和氮化钨肖特基接触AlGaN / GaN的热稳定性
4. Tungsten and tungsten nitride Schottky contacts to 4H-SiC [C] . B Pecz, A Sulyok, G Radnoczi, Royal Microscopical Society conference on microcopy of semiconducting materials . 1997

机译：钨和氮化钨肖特基接触4H-SiC
5. Gallium nitride growth by RF-plasma assisted molecular bean epitaxy: Determination of surface stoichiometry by RHEED-TRAXS, annealing of gallium nitride:beryllium and the effects of active nitrogen species, surface polarity, and excess gallium-overpressure on high temperature limits. [D] . VanMil, Brenda. 2005

机译：射频等离子体辅助分子外延生长氮化镓：通过RHEED-TRAXS测定表面化学计量，氮化镓：铍退火以及活性氮种类，表面极性和过量的镓超压对高温极限的影响。
6. Effects of Annealing Temperature on Optical Band Gap of Sol-gel Tungsten Trioxide Films [O] . Guanguang Zhang, Kuankuan Lu, Xiaochen Zhang, 2018

机译：退火温度对溶胶-凝胶三氧化钨薄膜光学带隙的影响
7. Structural and mechanical study of thermally annealed tungsten nitride thin films [O] . P.L. Moharana, Sharmistha Anwar, Aminul Islam, 2016

机译：热退火氮化钨薄膜的结构和力学研究
8. Ohmic Contacts to n-Type GaAs Using High-Temperature Rapid Thermal Annealing for Self-Aligned Processing [R] . Chen, C. L., Mahoney, L. J., Woodhouse, J. D., 1987

机译：采用高温快速热退火进行自对准加工的n型Gaas欧姆接触

High‐temperature annealing characteristics of tungsten and tungsten nitride Schottky contacts to GaAs under different annealing conditions

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅