机译:氢化物气相外延形成铟摩尔分数为InGaN的纳米棒
机译:氢化物气相外延形成铟摩尔分数为InGaN的纳米棒
机译:氢化物气相外延在(111)硅衬底上生长的InGaN纳米棒
机译:用氢化物气相外延形成铟摩尔级分的IngaN纳米棒
机译:氢化物气相外延生长极性和非极性氮化物半导体准衬底,用于分子束外延开发光电子器件
机译:氢化物气相外延生长在AlN纳米图案蓝宝石模板上的AlGaN外延层的结构和应力特性
机译:氢化物气相外延生长的GaN,InGaN,ScN和ScAIN
机译:通过金属有机化学气相沉积(mOCVD)生长富InGaN量子点(QD)