机译:使用微波光电导衰减(mu PCD)技术对硅晶片和检测器进行复合寿命表征和绘图
机译:涡流铸造加工机械,摩擦学,形态学和结构性能的比较研究,高强度耐磨应用的Al-SiC-Cr杂交金属基复合材料:制造与特征
机译:AlGaN / PZT检测器的制造与表征
机译:在与多晶SiC衬底键合的硅层上生长的3C-SiC膜的结构表征
机译:基于4h-sic n型外延层和cdznte的紧凑型高分辨率辐射探测器的制造与表征。
机译:Ni / 4H-SiC肖特基二极管辐射探测器的制造与表征其敏感面积高达4 cm2
机译:6H-SiC衬底上n-ZnO / p-AlGaN异质结发光二极管的制备与表征
机译:光电导alGaN探测器的制备和表征/ siC晶片的结构表征