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【2h】

Device Simulation of Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors with Trap States at Front and Back Oxide Interfaces

机译：前后氧化物界面具有陷阱状态的多晶硅薄膜晶体管的装置模拟

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作者
Mutsumi Kimura; Tohru Yasuhara; Kiyoshi Harada; Daisuke Abe; Satoshi Inoue; Tatsuya Shimoda;
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年度 2004
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1. Device simulation of polycrystalline-silicon thin-film transistors with trap states at front and back oxide interfaces [J] . Mutsumi Kimura, Tohru Yasuhara, Kiyoshi Harada, 映像情報メディア学会誌 . 2004,第9期

机译：正面和背面氧化物界面具有陷阱态的多晶硅薄膜晶体管的器件仿真
2. Evaluation of Trap States at Front and Back Oxide Interfaces and Grain Boundaries Using Electrical Characteristic Analysis and Device Simulation of Poly crystalline Silicon Thin-Film Transistors [J] . Mutsumi Kimura Electronics and Communications in Japan. Part 2, Electronics . 2005,第2期

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3. Extraction Technique of Trap Density at Grain Boundaries in Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistors with Device Simulation [J] . Kiyoshi HARADA, Takuto YOSHINO, Tohru YASUHARA, Japanese Journal of Applied Physics. Part 1, Regular Papers, Brief Communications & Review Papers . 2007,第3B期

机译：多晶硅薄膜晶体管晶界陷阱密度的提取及器件仿真
4. Four-terminal polycrystalline-silicon thin-film transistors fabricated by nickel metal-induced crystallization and hafnium oxide dielectric on a glass substrate [C] . Shyota Nibe, Akito Hara International Workshop on Active-Matrix Flatpanel Displays and Devices . 2017

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5. Low temperature measurement of silicon/silicon dioxide interface roughness and interface trapped charge in metal-oxide-semiconductor devices. [D] . Anderson, Warren Robert. 1993

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7. A study on device characterization of polycrystalline-silicon thin-film transistors [O] . 池田裕幸, イケダヒロユキ 2010

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