InP DHBT Distributed Amplifiers With Up to 235-GHz Bandwidth

机译：INP DHBT分布式放大器，最高可达235 GHz带宽

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Klas Eriksson; Izzat Darwazeh; Herbert Zirath;
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年度 2015
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1. InP DHBT Distributed Amplifiers With Up to 235-GHz Bandwidth [J] . Eriksson Klas, Darwazeh Izzat, Zirath Herbert Microwave Theory and Techniques, IEEE Transactions on . 2015,第4期

机译：InP DHBT分布式放大器，带宽高达235 GHz
2. 70 GSa/s and 51 GHz bandwidth track-andhold amplifier in InP DHBT process [J] . Deza J., Ouslimani A., Konczykowska A., Electronics Letters . 2013,第6期

机译：InP DHBT工艺中的70 GSa / s和51 GHz带宽采样保持放大器
3. Design of Variable Gain Amplifier With Gain-Bandwidth Product up to 354 GHz Implemented in InP-InGaAs DHBT Technology [J] . Jie-Wei Lai, Yu-Ju Chuang, Kurt Cimino, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques . 2006,第2期

机译：InP-InGaAs DHBT技术中实现高达354 GHz增益带宽积的可变增益放大器的设计
4. A 241-GHz-Bandwidth Distributed Amplifier with 10-dBm P1dB in 0.25-μm InP DHBT Technology [C] . Teruo Jyo, Munehiko Nagatani, Minoru Ida, IEEE MTT-S International Microwave Symposium . 2019

机译：0.25μmInP DHBT技术中具有10dBm P1dB的241GHz带宽分布式放大器
5. Highly Scaled InP/InGaAs DHBTs Beyond 1 THz Bandwidth [D] . Rode, Johann Christian 2015

机译：超过1 THz带宽的大规模InP / InGaAs DHBT
6. Ultrahigh Responsivity-Bandwidth Product in a Compact InP Nanopillar Phototransistor Directly Grown on Silicon [O] . Wai Son Ko, Indrasen Bhattacharya, Thai-Truong D. Tran, -1

机译：直接在硅上生长的紧凑型InP纳米柱光电晶体管中的超高响应带宽产品
7. InP DHBT Single-Stage and Multiplicative Distributed Amplifiers for Ultra- Wideband Amplification [O] . Temitope Odedeyi, Stavros Giannakopoulos, Herbert Zirath, 2020

机译：INP DHBT单级和乘法分布式放大器，用于超宽带放大
8. Common base amplifier with 7-dB gain at 176 GHz in InP mesa DHBT technology [R] . Paidi, V., Griffith, Z., Wei, Y., 2004

机译：采用Inp台面DHBT技术，在176 GHz时具有7 dB增益的共基极放大器

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