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High resolution magnetic force microscopy study of e-beam lithography patterned Co∕Pt nanodots

机译:电子束光刻图案化Copt纳米点的高分辨率磁力显微镜研究

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摘要

E-beam lithography has been used to pattern a continuous CoPt multilayer film with perpendicular anisotropy into circular islands of various sizes down to 25 nm diameter on a 60 nm pitch. High resolution magnetic force microscopy with in situ applied field has been used to directly determine the switching field distribution (SFD) and hysteresis loop of the islands. For the smallest islands, the coercivity is reduced and the width of the SFD is increased, indicating that they would not be well suited to data storage applications. © 2007 American Institute of Physics.
机译:电子束光刻已被用于将连续的Copt多层膜与垂直各向异性的连续分子膜进行塑造成圆形岛,其各种尺寸下降至25nm直径,直径为60nm间距。已经使用具有原位应用领域的高分辨率磁力显微镜,用于直接确定岛的开关场分布(SFD)和滞后环。对于最小的岛屿,矫顽力减小并且SFD的宽度增加,表明它们不会适合于数据存储应用。 ©2007美国物理研究所。

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