机译:氧K边缘的共振光发射作为研究SiO2 / Si和SiO2 / SiC界面缺陷的电子性质的工具
机译:通过自能和平均格林函数对导致SiO2 / SiC界面处低沟道电导率的界面波动进行理论研究
机译:带隙,栅漏电流和SiO2 / 4H-SiC(000-1)界面处的界面态密度之间的关系
机译:SiO2 / Si和Si3N4 / SiO2 / Si纳米界面的折射率和界面态的实验和计算研究
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:N2O热处理后SiO2 / 4H-SiC界面的外观
机译:通过在氧化物膜沉积之前通过热生长的薄SiO2薄膜改善SiO2 / SiC界面的作用