Reducing parasitic capacitance in single‐photon avalanche diodes

机译：在单光子雪崩二极管中减少寄生电容

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1. Fast Active Quenching Circuit for Reducing Avalanche Charge and Afterpulsing in InGaAs/InP Single-Photon Avalanche Diode [J] . Acerbi F., Frera A.D., Tosi A., IEEE Journal of Quantum Electronics . 2013,第7期

机译：用于减少InGaAs / InP单光子雪崩二极管中雪崩电荷和后脉冲的快速有源淬火电路
2. InGaAs/InP Single-Photon Avalanche Diode With Reduced Afterpulsing and Sharp Timing Response With 30 ps Tail [J] . Tosi A., Acerbi F., Anti M., Quantum Electronics, IEEE Journal of . 2012,第9期

机译：InGaAs / InP单光子雪崩二极管具有降低的后脉冲和30 ps尾巴的快速时序响应
3. A CMOS STI-Bound Single-Photon Avalanche Diode With 27-ps Timing Resolution and a Reduced Diffusion Tail [J] . Hsu M. J., Finkelstein H., Esener S. C. Electron Device Letters, IEEE . 2009,第6期

机译：具有27ps时序分辨率和减小的扩散尾的CMOS STI绑定单光子雪崩二极管
4. High-performance InGaAs/InP-based single photon avalanche diode with reduced afterpulsing [C] . Chong Hu, Xiaoguang Zheng, Joe C. Campbell, Advanced photon counting techniques IV . 2010

机译：高性能基于InGaAs / InP的单光子雪崩二极管，减少了后脉冲
5. CMOS single-photon avalanche diodes and micromachined optical filters for integrated fluorescence sensing. [D] . Dandin, Marc Peralte. 2012

机译：CMOS单光子雪崩二极管和微机械滤光片，用于集成荧光传感。
6. Avalanche Transients of Thick 0.35 µm CMOS Single-Photon Avalanche Diodes [O] . Bernhard Goll, Bernhard Steindl, Horst Zimmermann 2020

机译：厚的0.35μmCMOS单光子雪崩二极管雪崩瞬变
7. Fast fully-integrated front-end circuit to overcome pile-up limits in time-correlated single photon counting with single photon avalanche diodes [O] . Giulia Acconcia, Alessandro Cominelli, Massimo Ghioni, 2018

机译：快速全集成的前端电路，以克服与单光子雪崩二极管计数的时间相关的单光子中的堆积限制

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