机译:界面陷阱和边界陷阱对InGaAs MOSFET中电流-电压,电容-电压和Split-CV迁移率测量的影响
机译:根据在不同温度下测得的电容-电压特性确定In_(0.53)Ga_(0.47)As MOS电容器中氧化物边界陷阱的能量和空间分布
机译:从与温度相关的电流-电压和电容-电压测量中探索氧化镧栅介质膜的俘获特性
机译:通过测量MOS电容器的电流-电压特性来表征边界陷阱
机译:低整体对称性的氧化还原活性三价金属表面活性剂,用于基于分子的电子产品:用于m / LB单层/ m器件中电流电压测量的新型分子材料的光谱,电化学和两亲性质。
机译:尺寸依赖性电致发光和蓝色Ingan / GaN细胞的电流电压测量到亚微米刻度
机译:接口和边界陷阱对IngaAs MOSFET中电流电压,电容 - 电压和分裂 - CV移动性测量的影响
机译:CdZnTe辐射探测器的补偿和陷阱研究热电发射光谱,热刺激电导率和电流 - 电压测量