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Carrier Transport in the Valence Band of nBn III–V Superlattice Infrared Detectors

机译：NBN III-V超晶格红外探测器的价带中的载体传输

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David R. Rhiger; Edward P. Smith;
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年度 2019
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1. Carrier Transport in the Valence Band of nBn III-V Superlattice Infrared Detectors [J] . Rhiger David R., Smith Edward P. Journal of Electronic Materials . 2019,第10期

机译：NBN III-V超晶格红外探测器的价带中的载体传输
2. Correlation Between Band Structure and Magneto-Transport Properties in HgTe/CdTe Two-Dimensional Far-Infrared Detector Superlattice [J] . M. Braigue, A. Nafidi, A. Idbaha, Journal of Low Temperature Physics . 2013,第5a6期

机译：HgTe / CdTe二维远红外探测器超晶格的能带结构与磁输运性质的相关性
3. Effect of temperature in bands structure,effective mass and correlation with magneto- transport properties in a nanostructure far-infrared detector superlattice [J] . A. IDBAHA, A. NAFIDI, K. KHALLOUQ, Journal of optoelectronics and advanced materials . 2013,第11a12期

机译：纳米结构远红外探测器超晶格中能带结构温度，有效质量及其与磁输运性质的关系
4. Carrier transport in nBn infrared detectors [C] . David Z. Ting, Alexander Soibel, Arezou Khoshakhlagh, Infrared remote sensing and instrumentation XXIV . 2016

机译：nBn红外探测器中的载流子传输
5. The Study of MBE-Grown Type III Superlattices for Very Long Wavelength Infrared nBn Detectors [D] . Man, Peihong. 2021

机译：用于非常长的波长红外NBN探测器的MBE-生长III型超晶格的研究
6. Bias–selectable nBn dual–band long–/very long–wavelength infrared photodetectors based on InAs/InAs1−xSbx/AlAs1−xSbx type–II superlattices [O] . Abbas Haddadi, Arash Dehzangi, Romain Chevallier, -1

机译：基于InAs / InAs1-xSbx / AlAs1-xSbx II型超晶格的偏置可选nBn双波段长/非常长波长红外光电探测器
7. Carrier localization and miniband modeling of InAs/GaSb based type-II superlattice infrared detectors [O] . Swarnadip Mukherjee, Anuja Singh, Aditi Bodhankar, 2021

机译：基于INAS / GASB的II型超晶格红外探测器的载体定位和MINIBAND建模
8. Significantly Improved Minority Carrier Lifetime Observed in a Long- Wavelength Infrared III-V Type-II Superlattice Comprised of InAs/InAsSb. [R] . B. C. Connelly E. H. Steenbergen G. D. Metcalfe H. Shen M. Wraback 2011

机译：在由Inas / Inassb组成的长波长红外III-V II型超晶格中观察到显着改善的少数载流子寿命。

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