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【2h】

Impact of thermal annealing on internal device parameters of GaAs 0.965 Bi 0.035 /GaAs 0.75 P 0.25 quantum well lasers

机译：热退火对GaAs内部器件参数的影响0.965 BI 0.035 / GaAs 0.75 P 0.25量子孔激光器

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Honghyuk Kim; Yingxin Guan; Thomas F. Kuech; Luke J. Mawst;
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年度 2019
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