首页> 外文OA文献 >Effects of Source and Drain Impurity Profile on Breakdown Voltage of High-Performance Si TFTs

【2h】

Effects of Source and Drain Impurity Profile on Breakdown Voltage of High-Performance Si TFTs

机译：源极和漏极杂质分布对高性能Si TFT的击穿电压的影响

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Shinzo Tsuboi; Genshiro Kawachi; Masahiro Mitani; Takashi Okada;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2007
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Effects of Source and Drain Impurity Profile on Breakdown Voltage of Hiqh-Performance Si TFTs [J] . Shinzo Tsuboi, Genshiro Kawachi, Masahiro Mitan, 映像情報メディア学会誌 . 2007,第9期

机译：源极和漏极杂质分布对Hiqh性能Si TFT击穿电压的影响
2. High-Performance Homojunction a-IGZO TFTs With Selectively Defined Low-Resistive a-IGZO Source/Drain Electrodes [J] . Um Jae Kwang, Lee Suhui, Jin Seonghyun, Electron Devices, IEEE Transactions on . 2015,第7期

机译：具有选择性定义的低电阻a-IGZO源/漏电极的高性能同质结a-IGZO TFT
3. Highly Transparent, High-Performance IGZO-TFTs Using the Selective Formation of IGZO Source and Drain Electrodes [J] . Wu H., Chien C. IEEE Electron Device Letters . 2014,第6期

机译：使用IGZO源极和漏极的选择性形成的高度透明，高性能IGZO-TFT
4. Novel, high-performance polysilicon heterostructure TFTs using P-I-N source/drains [C] . Manna, I., Liu, Electron Devices Meeting, 1995., International . 1995

机译：使用P-I-N源/漏极的新型高性能多晶硅异质结构TFT
5. Engineering Source/Channel/Drain Regions for PMOS TFTs in Flash Lamp Annealed Polycrystalline Silicon [D] . Garg, Viraj. 2019

机译：闪光灯退火多晶硅的PMOS TFT工程源/通道/漏极区
6. High-Performance AlGaN Double Channel HEMTs with Improved Drain Current Density and High Breakdown Voltage [O] . Yachao Zhang, Yifan Li, Jia Wang, 2020

机译：具有改善的漏极电流密度和高击穿电压的高性能AlGaN双通道HEMT
7. Highly Transparent, High-Performance IGZO-TFTs Using the Selective Formation of IGZO Source and Drain Electrodes [O] . 2014

机译：使用IGZO源和漏电极的选择性形成高度透明，高性能的IGZO-TFT
8. CAPACITANCE-VOLTAGE MEASUREMENTS FOR DETERMINING IMPURITY PROFILES IN SEMICONDUCTORS [R] . B. J. SMITH 1972

机译：用于确定半导体中杂质分布的电容 - 电压测量

Effects of Source and Drain Impurity Profile on Breakdown Voltage of High-Performance Si TFTs

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅