机译:深度的嵌入:通过散装中的碳偏析在外延石墨烯和Ni(111)之间的稳定性碳化铬的生长
机译:蓝宝石的晶片级外延单晶Ni(111)薄膜石墨烯生长
机译:6英寸的外延生长。通过化学气相沉积在850℃下在Cu / Ni(111)膜上的单晶石墨烯
机译:通过在外延Cu(Ni)(111)和Al_2O_3(0001)模板之间的界面释放层的合成来传递大区域石墨烯转移
机译:氢封端的硅(111)和外延生长的石墨烯基板上功能有机物的表征和纳米图案化。
机译:立方SiC(111)∕ Si(111)衬底上的外延石墨烯
机译:单晶石墨烯晶片:外延生长6英寸。通过化学气相沉积在750℃下在Cu / Ni(111)膜上的单晶石墨烯(小22/2019)