首页> 外文OA文献 >Synthesis of N-doped P-type ZnO nanostructures by MOCVD method and formation of homo and hetero junction diode

【2h】

Synthesis of N-doped P-type ZnO nanostructures by MOCVD method and formation of homo and hetero junction diode

机译：MoCVD法合成N掺杂的P型ZnO纳米结构及其HOMO和杂连接二极管的形成

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Subhasish Patra; Sachindranath Das; Jae-Min Myoung;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2016
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Origin of p-type conductivity for N-doped ZnO nanostructure synthesized by MOCVD method [J] . Das Sachindranath, Patra Subhasish, Kar Jyoti Prakash, Materials Letters . 2015,第DECa15期

机译：MOCVD法合成N掺杂ZnO纳米结构的p型导电性的起源
2. Study on the luminescence properties of n-ZnO/p-Si hetero-junction diode grown by MOCVD [J] . Li XP, Zhang BL, Zhu HC, Journal of Physics, D. Applied Physics: A Europhysics Journal . 2008,第3期

机译：MOCVD生长n-ZnO / p-Si异质结二极管的发光特性研究
3. Electroluminescence from n-ZnO/p-ZnO : Sb homojunction light emitting diode on sapphire substrate with metal-organic precursors doped p-type ZnO layer grown by MOCVD technology [J] . Zhao JZ, Liang HW, Sun JC, Journal of Physics, D. Applied Physics: A Europhysics Journal . 2008,第19期

机译：蓝宝石衬底上的n-ZnO / p-ZnO：Sb同质结发光二极管的电致发光，其金属有机前驱物掺杂了通过MOCVD技术生长的p型ZnO层
4. ZnO Nanostructured Diodes: The Influence of Synthesis Conditions and p-type Material on Device Performance [C] . S.M. Hatch, S. Dunn Nanowires and nanotubes - synthesis, properties, devices and energy applications of one-dimensional materials . 2012

机译：ZnO纳米结构二极管：合成条件和p型材料对器件性能的影响
5. Synthesis and characterization of homo- and hetero-metallic coordination compounds and oxide nanostructures. [D] . Hofmann, Cristina. 2008

机译：均金属和杂金属配位化合物以及氧化物纳米结构的合成与表征。
6. A Carboxyl Terminal Domain of Connexin43 Is Critical for Gap Junction Plaque Formation but not for Homo- or Hetero-Oligomerization [O] . Agustín D. Martínez, Volodya Hayrapetyan, Alonso P. Moreno, -1

机译：连接蛋白43的羧基末端域对于间隙连接斑块形成至关重要但对于同聚或杂聚均不重要
7. Electron and Hole Traps in N-Doped ZnO Grown on p-Type Si Substrate by MOCVD [O] . Fang Zhaoqiang, Claflin Bruce, Look David, 2013

机译：通过MOCVD在p型Si衬底上生长的N掺杂ZnO中的电子和空穴陷阱

Synthesis of N-doped P-type ZnO nanostructures by MOCVD method and formation of homo and hetero junction diode

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅