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【2h】

Characterization of P-hit and N-hit single-event transient using heavy ion microbeam

机译：使用重离子微磁束表征P-HET和N击中单事件瞬态

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Ruiqiang Song; Jinjin Shao; Bin Liang; Yaqing Chi; Jianjun Chen;
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年度 2019
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1. Characterization of P-hit and N-hit single-event transient using heavy ion microbeam [J] . Ruiqiang Song, Jinjin Shao, Bin Liang, IEICE Electronics Express . 2019,第8期

机译：使用重离子微磁束表征P-HET和N击中单事件瞬态
2. Characterization of Single-Event Transient Pulse Broadening Effect in 65 nm Bulk Inverter Chains Using Heavy Ion Microbeam [J] . Yaqing Chi, Ruiqiang Song, Shuting Shi, Nuclear Science, IEEE Transactions on . 2017,第1期

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3. Simulation Study of the Layout Technique for P-hit Single-Event Transient Mitigation via the Source Isolation [J] . Chen J. Device and Materials Reliability, IEEE Transactions on . 2012,第2期

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4. Novel technique for P-hit single-event transient mitigation using enhance dummy transistor [C] . Wang TianQi, Xiao LiYi, Huo MingXue, International Symposium on Quality Electronic Design . 2015

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5. Characterization of heavy-ion, neutron and alpha particle-induced single-event transient pulse widths in advanced CMOS technologies. [D] . Narasimham, Balaji. 2008

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6. An infrastructure for accurate characterization of single-event transients in digital circuits [O] . Varadan Savulimedu Veeravalli, Thomas Polzer, Ulrich Schmid, -1

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