机译:用浇口金属处理改进的AlGaN / AlN / GaN HEMT的高温稳定性
机译:表面预处理和后金属化退火改善界面性能和AlGaN / GaN MIS-HEMTS在正栅偏置应力下的界面性能和VTH稳定性
机译:通过MOCVD生长的AlGaN / AlN / GaN / InGaN / GaN DH-HEMT具有改善的迁移率
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:使用AlGaN / GaN / AlGaN量子阱电子阻挡层的AlGaN / GaN HEMT中的高击穿电压
机译:表面预处理和后金属化退火改善界面性能和AlGaN / GaN Mis-Hemts正栅极偏压下的界面性能和V Th稳定性