机译:FINFET晶体管NBTI机制的TCAD分析与建模
机译:NBTI的3-D TCAD框架,第二部分:机械应变的影响,量子效应和FinFET尺寸缩放
机译:NBTI的3-D TCAD框架-第一部分:实施细节和FinFET沟道材料的影响
机译:TCAD框架,用于评估替代金属栅(RMG)p-FinFET中漏极偏置下的NBTI影响和自热效应
机译:分析和建模有助于AlGaAs / GaAs异质结双极晶体管可靠性的物理机制。
机译:静电放电应力作用下的全栅硅纳米线场效应晶体管的退化机理–一种建模方法
机译:基于Tcad的栅极线边缘粗糙度统计分析和建模对纳米级mos晶体管性能和缩放的影响