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The influence of the N+ floating layer on the drift doping of RESURF LDMOS and its analytical model

机译：n 浮动层对Resurf Ldmos漂移掺杂的影响及其分析模型

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Xiarong Hu; Weibo Wang; Yupin Ji; Qing Hua;
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年度 2016
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1. The influence of the N+ floating layer on the drift doping of RESURF LDMOS and its analytical model [J] . Qing Hua, Weibo Wang, Xiarong Hu, IEICE Electronics Express . 2016,第20期

机译：N +浮层对RESURF LDMOS漂移掺杂的影响及其解析模型
2. Linearly graded doping drift region: a novel lateral voltage-sustaining layer used for improvement of RESURF LDMOS transistor performances [J] . Jin He, Xuemei Xi, Mansum Chan Semiconductor science and technology . 2002,第7期

机译：线性渐变掺杂漂移区：一种新型横向电压保持层，用于改善RESURF LDMOS晶体管的性能
3. Analytical Modeling for a Novel Triple RESURF LDMOS With N-Top Layer [J] . Qiao Ming, Wang Yuru, Zhou Xin, Electron Devices, IEEE Transactions on . 2015,第9期

机译：具有N顶层的新型三重RESURF LDMOS的分析建模
4. Dependence of Breakdown Voltage on Drift Length and Linear Doping Gradients in SOI RESURF LDMOS Devices [C] . Shaoming Yang, Wenchin Tseng, Gene Sheu International conference on electronic measurement instruments;ICEMI' 2009 . 2009

机译：SOI RESURF LDMOS器件中击穿电压对漂移长度和线性掺杂梯度的依赖性
5. Electrochemical and surface analytical studies of a floating bilayer lipid membrane [D] . Kycia, Annia Halina 2010

机译：浮动双层脂质膜的电化学和表面分析研究
6. Analytical Modelling of Temperature Distribution in SLM Process with Consideration of Scan Strategy Difference between Layers [O] . Linger Cai, Steven Y. Liang 2021

机译：考虑到层扫描策略差异的SLM过程温度分布的分析模型
7. A breakdown voltage model for implanted resurf p-LDMOS device on n+ buried layer [O] . Zhou, Ming-Jiang, Van Calster, A. 1994

机译：n +埋层上植入的resurf p-LDMOS器件的击穿电压模型
8. MOCVD Grown Si-Doped n+ InP Layers for the Subcollector Region in HBTs.(Reannouncement with New Availability Information) [R] . Clawson, A. R., Hanson, C. M. 1994

机译：用于HBT中子集合区域的mOCVD生长si掺杂n + Inp层。（重新公布新的可用性信息）

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