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Low temperature boron doping into crystalline silicon by boron-containing species generated in Cat-CVD apparatus

机译：通过CAT-CVD装置产生的含硼物质将低温硼掺杂到晶体硅中

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Tatsunori Ohta; Koichi Koyama; Keisuke Ohdaira; Hideki Matsumura;
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年度 2015
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1. Low temperature boron doping into crystalline silicon by boron-containing species generated in Cat-CVD apparatus [J] . Ohta Tatsunori, Koyama Koichi, Ohdaira Keisuke, Thin Solid Films . 2015,第jana30期

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2. Extremely low recombination velocity on crystalline silicon surfaces realized by low-temperature impurity doping in Cat-CVD technology [J] . Taro Hayakawa, Motoharu Miyamoto, Koichi Koyama, Thin Solid Films . 2011,第14期

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3. Low-temperature growth of thick intrinsic and ultrathin phosphorous or boron-doped microcrystalline silicon films: Optimum crystalline fractions for solar cell applications [J] . Hamma S., Cabarrocas PRI. Solar Energy Materials and Solar Cells: An International Journal Devoted to Photovoltaic, Photothermal, and Photochemical Solar Energy Conversion . 2001,第3期

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4. Low Temperature Back-Surface-Field (BSF) Technology for Crystalline Silicon (c-Si) Thin Film Solar Cells Based on Heterojunctions between Boron-Doped P-Type Hydrogenated Amorphous Silicon and c-Si [C] . Yamanaka, M., Sakata, . 2006

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