机译:清洁Lab_6(100),(111)和(110)表面的结构分析通过定量低能量电子衍射
机译:干净且H吸附的HfC(111)表面的电子结构
机译:干净且H吸附的HfC(111)表面的电子结构
机译:In含量为0.53和0.70的(100),(111)A和(111)B InGaAs表面的硫清洗及其Al2O3 / InGaAs MOS界面特性
机译:通过X射线光电子衍射,扫描隧道显微镜和低能电子衍射研究了外延氧化铁在铂(111)上的生长。
机译:减速的晶格激发和表面不存在体声子模:fs-激光激发时Bi(111)表面的超快速电子衍射
机译:清洁和H吸附HFC(111)表面的电子结构。
机译:化学吸附CO和O2在(111)和阶梯(6(111)x(100))铱表面上的低能电子衍射,俄歇电子能谱和热解吸研究。