Molecular Beam Epitaxial Growth and Quantum Functional Devices.

机译：分子束外延生长和量子功能装置。

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作者
Junji SAITO; Akihiro SHIBATOMI;
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年度 1992
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1. Molecular beam epitaxial growth of high quality InAs/GaAs quantum dots for 1.3-μm quantum dot lasers [J] . Hui-Ming Hao, Xiang-Bin Su, Jing Zhang, 中国物理：英文版 . 2019,第007期

机译：用于1.3μm量子点激光器的高质量InAs / GaAs量子点的分子束外延生长
2. Low substrate temperature and low As-pressure growth concept for the molecular beam epitaxial growth of 1.55 μm (Ga,In)(N,As) multiple quantum wells [J] . Fumitaro Ishikawa, Achim Trampert, Klaus H. Ploog Journal of Crystal Growth . 2007,第Apr期

机译：1.55μm（Ga，In）（N，As）多量子阱分子束外延生长的低衬底温度和低As压力生长概念
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4. Molecular beam epitaxial growth of 3µm mid-wave infrared laser using InGaAsSb/AlInAsSb quantum well structure [C] . Chunte Lu, Ron Kaspi, Tim Newell, 25th International Semiconductor Laser Conference . 2016

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6. In-situ epitaxial growth of graphene/h-BN van der Waals heterostructures by molecular beam epitaxy [O] . Zheng Zuo, Zhongguang Xu, Renjing Zheng, -1

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7. Growth kinetics and modeling of selective molecular beam epitaxial growth of GaAs ridge quantum wires on pre-patterned nonplanar substrates [O] . Sato, Taketomo, Tamai, Isao, Hasegawa, Hideki 2004

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