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Processing Development and Surface Preparation Review. Gas Source Molecular Beam Epitaxy of II-VI Compound Semiconductors with Use of Group VI Hydrides and Group II Metal.

机译：处理开发和表面准备评论。二维氢化物组和II族金属的II-VI化合物半导体的气体源分子束外延。

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Ken-chi OHTSUKA; Masayuki IMAIZUMI; Muneyoshi SUITA; Yasuyuki ENDOH; Hiroshi SUGIMOTO;
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年度 1996
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