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【2h】

Analysis of Channel Doping Profile Dependent Threshold Voltage Characteristics for Double Gate MOSFET

机译：用于双栅MOSFET的通道掺杂轮廓相关阈值特性的分析

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作者
Hak-Kee Jung; Ji-Hyung Han; Jae-Hyung Lee; Dong-Soo Jeong; Jong-In Lee; Oh-Shin Kwon;
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年度 2011
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1. A Threshold Voltage Model for the Short-Channel Double-Gate (DG) MOSFETs with a Vertical Gaussian Doping Profile [J] . Pramod Kumar Tiwari, S. Jit Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics . 2011,第2期

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2. An Analytical Model for the Threshold Voltage of Short-Channel Double-Material-Gate (DMG) MOSFETs with a Strained-Silicon (s-Si) Channel on Silicon-Germanium (SiGe) Substrates [J] . Shiv Bhushan, Santunu Sarangi, Gopi Krishna S, Journal of semiconductor technology and science . 2013,第4期

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4. A 2D analytical model of the channel potential and threshold voltage of Double-Gate (DG) MOSFETs with vertical Gaussian doping profile [C] . Tiwari P.K., Kumar S., Mittal S., Multimedia, Signal Processing and Communication Technologies, 2009. IMPACT '09 . 2009

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5. Design and analysis of double-gate CMOS for low-voltage integrated circuit applications, including physical modeling of silicon-on-insulator MOSFETs. [D] . Kim, Keunwoo. 2001

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