首页> 外文OA文献 >Voltage control of domain walls in magnetic nanowires for energy-efficient neuromorphic devices

【2h】

Voltage control of domain walls in magnetic nanowires for energy-efficient neuromorphic devices

机译：用于节能神经晶体器件磁纳米线中畴壁的电压控制

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Md Ali Azam; Dhritiman Bhattacharya; Damien Querlioz; Caroline A Ross; Jayasimha Atulasimha;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2020
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Voltage control of domain walls in magnetic nanowires for energy-efficient neuromorphic devices [J] . Nanotechnology . 2020,第14期

机译：用于节能神经晶体器件磁纳米线中畴壁的电压控制
2. Voltage-controlled domain wall traps in ferromagnetic nanowires [J] . Bauer U., Emori S., Beach G.S.D. Nature nanotechnology . 2013,第6期

机译：铁磁纳米线中的压控畴壁陷阱
3. An Energy-Efficient Nonvolatile In-Memory Computing Architecture for Extreme Learning Machine by Domain-Wall Nanowire Devices [J] . Wang Yuhao, Yu Hao, Ni Leibin, Nanotechnology, IEEE Transactions on . 2015,第6期

机译：领域墙纳米线设备为极限学习机提供的高能效非易失性内存计算架构
4. Injecting, controlling, and storing magnetic domain walls inferromagnetic nanowires [C] . Andrew Kunz, Jonathan D. Priem, Sarah C. Reiff Spintronics III . 2010

机译：在 r n铁磁纳米线上注入，控制和存储磁畴壁
5. Effect of Rare-Earth Incorporation in Ferromagnetic Metals for Magnetic Domain Wall Devices. [D] . Thomas, Rebecca Lynn. 2012

机译：稀土掺入铁磁金属中对磁畴壁器件的影响。
6. Geometrically designed domain wall trap in tri-segmented nickel magnetic nanowires for spintronics devices [O] . Farzad Nasirpouri, Seyed-Majid Peighambari-Sattari, Cristina Bran, -1

机译：用于自旋电子器件的三段式镍磁性纳米线中几何设计的畴壁阱
7. Optimized Voltage-Induced Control of Magnetic Domain-Wall Propagation in Hybrid Piezoelectric/Magnetostrictive Devices [O] . Giancarlo Consolo, Giovanna Valenti 2021

机译：混合压电/磁致伸缩装置中的优化电压诱导控制磁畴壁传播

Voltage control of domain walls in magnetic nanowires for energy-efficient neuromorphic devices

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅