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机译:中间带Ti植入硅层的电向耦合效应
D Pastor; J Olea; A del Prado; E García-Hemme; R García-Hernansanz; I Mártil; G González-Díaz;
机译:对中带钛注入的硅层的电去耦效应
机译:中层钛注入硅的两层霍尔效应模型
机译:钛注入硅中形成中间能带,导致绝缘体向金属过渡
机译:基于Ti植入硅的中间带材料的第一原理性质
机译:化学计量和氢含量对硅和二氧化硅上氮化硅和氧氮化物层的物理和电学性质的影响的研究
机译:Ru中间层的斜入射溅射用于垂直记录介质中晶间交换的解耦
机译:用于费米实验室碰撞探测器的中间硅层(IsL)探测器
机译:平面无撕裂发光体结构的制造包括在硅衬底上施加含铝的III-V族种子层,含铝的III-V族中间层和氮化硅中间层
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