机译:栅全纳米晶体管中氮化硅内隔离物的研究
机译:硅太阳能电池氮化硅上沟槽形成的非热常压等离子体工艺条件研究
机译:反向侧壁隔离层和内部偏移氧化物工艺可在100 nm栅极长度下实现出色的2位氧化硅-氮化物-氧化硅存储
机译:低温氮化硅隔片工艺提高了性能
机译:等离子体-表面相互作用在过程化学中的作用:α-碳氮化物沉积和硅的氟化硫/氧蚀刻的机理研究。
机译:全能栅纳米晶体管工艺中氮化硅内间隔层形成的研究
机译:使用脉冲YAG激光加工热压氮化硅陶瓷的无裂缝处理。 (第2次报告。氮化硅陶瓷激光加工瞬态热应力和裂纹形成机理分析。
机译:反应键合氮化硅在加工过程中形成多孔表面层