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机译:MultiSep等离子蚀刻和角光刻高纵横比结构的晶圆级3D整形
Shu Ni; Erwin J. W. Berenschot; Pieter J. Westerik; Meint J. de Boer; René Wolf; Hai Le-The; Han J. G. E. Gardeniers; Niels R. Tas;
机译:通过多步等离子刻蚀和角落光刻技术对高深宽比结构进行晶圆级3D成型
机译:使用多层光刻电子束工艺和等离子干蚀刻技术开发高纵横比的半半微米结构
机译:用于高深宽比可植入MEMS结构的晶圆级蚀刻技术
机译:磁增强电容耦合等离子体刻蚀,用于通过硅通孔进行300毫米晶圆级制造的3D逻辑集成铜
机译:使用六氟化硫/氧等离子体在硅中蚀刻高深宽比结构。
机译:一种用于高纵横比植入MEMS结构的晶片刻度蚀刻技术
机译:用于制备高纵横比结构的等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置
机译:用于制备高宽比结构的等离子刻蚀方法和等离子刻蚀装置
机译:使用交替沉积和蚀刻以及使用脉冲等离子体对高纵横比SOI结构进行无缺口蚀刻
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