机译:绿色发光indan / GaN量子阱中的微观结构,局部铟组分和光致发光
机译:扫描近场光学显微镜探测的{2021} GaN衬底上的绿色InGaN单量子阱的纳米光致发光特性。
机译:具有不同铟组成的a平面和c平面InGaN / GaN多量子阱的内部量子效率行为
机译:用不同铟组分的平面和C面Ingan / GaN多量子的内部量子效率行为
机译:极性InGaN / GaN量子阱结构的光学研究
机译:梯度铟成分p型InGaN层增强GaN基绿色发光二极管的量子效率
机译:渐变铟组合物P型Ingan层的甘油基绿光二极管量子效率提高