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【2h】

Design of Low Noise-Low Power OTA Using 0.13μm Technology for Infrared Readout Circuits

机译：使用0.13μm技术为红外读出电路设计低噪声低功耗OTA的设计

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作者
M. M.; Mohamed El-Mahlawy; A. Zaki; M. Hamid;
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年度 2014
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1. Design and Analysis of a Low-Power Readout Circuit for CdZnTe Detectors in 0.13- CMOS [J] . Beikahmadi Mohammad, Mirabbasi Shahriar, Iniewski Krzysztof Kris Sensors Journal, IEEE . 2016,第4期

机译：0.13-CMOS中CdZnTe检测器低功耗读出电路的设计与分析
2. Development of Low Power Cryogenic Readout Integrated Circuits Using Fully-Depleted-Silicon-on-Insulator CMOS Technology for Far-Infrared Image Sensors [J] . T. Wada, H. Nagata, H. Ikeda, Journal of Low Temperature Physics . 2012,第5a6期

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4. Efficient Power Conditioning Circuit for Self-Powered Microsystems (SPMS) based on a Low-Voltage Low-Power 0.13驴m Technology [C] . Colomer, J., Saiz-Vela, Industrial Electronics, 2006 IEEE International Symposium on . 2006

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5. Design of Low-power, Low-noise Readout Circuits for Sensory Microsystems. [D] . Lin, Yingkan. 2014

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7. The Design of an Ultralow-Power Ultra-wideband (5 GHz–10 GHz) Low Noise Amplifier in 0.13 μm CMOS Technology [O] . Hemad Heidari Jobaneh 2020

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