机译:氯在HVPE GaN生长-Ab从头研究中在GaN(0001)表面动力学中的作用
机译:使用HVPE生长的GaN体靶,通过激光分子束外延在蓝宝石(0001)上高度c轴取向生长GaN膜
机译:通过在具有良好表面的HVPE-GaN衬底上外延生长从Ga_2O蒸气生长的GaN层的生长速率急剧增加
机译:GaN(0001)表面 - 生长过程和电子结构上的MNAS点
机译:光学建模,MOCVD生长和新型制造技术的半极(20-21)GaN倒装芯片边缘发射激光器结构
机译:外延生长过程中缺陷形成的分子动力学研究(0001)GaN表面上的InGaN合金的制备
机译:使用HVpE生长的GaN体靶通过激光分子束外延在钴蓝(0001)上高度c轴取向生长GaN膜
机译:m面alGaN / GaN和alInN / GaN异质结构的外延生长适用于常驻型GaN基板上的常关模式高功率场效应晶体管