机译:Step JTE,用于特高压SiC功率器件的边缘终端,对JTE剂量和表面电荷的容忍度提高
机译:反掺杂JTE,一种用于HV SiC器件的边缘终端,具有更高的表面电荷容忍度
机译:多区梯度调制保护环技术,用于超高压4H-SiC器件,具有更高的植入剂量和表面电荷耐受性
机译:恒定栅极电荷定标可增加SiC功率器件的短路耐受时间
机译:社会解释研究,探讨了特拉华州旅行大众对增加收入和/或税收以支持地面运输需求的容忍度
机译:适用于SiC器件的JTE剂量级和表面电荷耐受性提高的阶梯双区JTE
机译:用于高压4H-SIC器件的紧凑型沟槽辅助空间调制JTE设计