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【2h】

Characterization of Ultrathin Fully Depleted Silicon‐on‐Insulator Devices Using Subthreshold Slope Method

机译：使用亚阈值斜坡法表征超薄完全耗尽的绝缘装置

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Teimuraz Mchedlidze; Elke Erben;
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年度 2020
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1. Characterization of Ultrathin Fully Depleted Silicon-on-Insulator Devices Using Subthreshold Slope Method [J] . Teimuraz Mchedlidze, Elke Erben Physica status solidi . 2020,第24期

机译：使用亚阈值斜坡法表征超薄完全耗尽的绝缘装置
2. Substrate bias dependence of subthreshold slopes in fully depleted silicon-on-insulator MOSFET's [J] . Tokunaga K., Sturm J.C. IEEE Transactions on Electron Devices . 1991,第8期

机译：完全耗尽的绝缘体上硅MOSFET的亚阈值斜率对衬底偏置的依赖性
3. New analytical models of subthreshold surface potential and subthreshold current of fully depleted short-channel silicon-on-insulator MOSFETs with halo or pocket implantation [J] . Han-Pang Wang Japanese journal of applied physics . 2014,第6期

机译：具有光晕或口袋注入的完全耗尽短沟道绝缘体上硅MOSFET的亚阈值表面电势和亚阈值电流的新分析模型
4. Analysis of gate misalignment effect on the threshold voltage of double-gate (DG) ultrathin fully-depleted (FD) silicon-on-insulator (SOI) NMOS devices using a compact model considering fringing electric field effect [C] . Kuo J.B., Sun E.C., Lin M.T. Electron Devices for Microwave and Optoelectronic Applications, 2003. EDMO 2003. The 11th IEEE International Symposium on . 2003

机译：使用考虑边缘电场效应的紧凑模型分析栅极失准对双栅极（DG）超薄全耗尽（FD）绝缘体上硅（SOI）NMOS器件阈值电压的影响
5. Passive Wireless Radiation Dosimeters for Radiation Therapy Using Fully-Depleted Silicon-on-Insulator Devices. [D] . Li, Yulong. 2016

机译：使用完全耗尽的绝缘体上硅器件进行放射治疗的无源无线放射剂量计。
6. Capacitance-Based Dosimetry of Co-60 Radiation using Fully-Depleted Silicon-on-Insulator Devices [O] . Yulong Li, Warren M. Porter, Rui Ma, -1

机译：使用完全耗尽的绝缘体上硅器件的基于电容的Co-60辐射剂量学
7. Remote surface roughness scattering in fully depleted silicon-on-insulator devices with high-kappa/SiO2 gate stacks [O] . Niquet, Yann Michel, Duchemin, Ivan, Nguyen, V. H., 2015

机译：具有高kappa / SiO2栅叠层的完全耗尽绝缘体上硅器件中的远程表面粗糙度散射

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