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Enhanced stability of filament-type resistive switching by interface engineering

机译：接口工程增强了灯丝型电阻切换的稳定性

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作者
Y. B. Zhu; K. Zheng; X. Wu; L. K. Ang;
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年度 2017
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1. Enhanced stability of filament-type resistive switching by interface engineering [J] . Y. B. Zhu, K. Zheng, X. Wu, Scientific reports. . 2017,第1期

机译：接口工程增强了灯丝型电阻切换的稳定性
2. Enhanced stability of complementary resistance switching in the TiN/HfO_x/TiN resistive random access memory device via interface engineering [J] . H. Z. Zhang, D. S. Ang, K. S. Yew, Applied Physics Letters . 2016,第8期

机译：通过接口工程增强了TiN / HfO_x / TiN电阻随机存取存储设备中互补电阻切换的稳定性
3. Engineering amorphous-crystalline interfaces in TiO_(2-x)/TiO_(2-y)-based bilayer structures for enhanced resistive switching and synaptic properties [J] . P. Bousoulas, P. Asenov, I. Karageorgiou, Journal of Applied Physics . 2016,第15期

机译：在基于TiO_（2-x）/ TiO_（2-y）的双层结构中工程非晶态晶体界面以增强电阻切换和突触特性
4. Advanced a-VMCO resistive switching memory through inner interface engineering with wide (>102) on/off window, tunable μA-range switching current and excellent variability [C] . B. Govoreanu, L. Di Piazza, J. Ma, IEEE Symposium on VLSI Technology . 2016

机译：先进的a-VMCO电阻式开关存储器通过内部接口工程设计，具有宽（> 102）的开关窗口，可调的μA范围开关电流和出色的可变性
5. A carrier hopping mechanism for bipolar field induced resistive switching in metal electrode-praseodymium calcium manganese trioxide interfaces [D] . Tsui, Stephen Alan 2008

机译：金属电极镨钙锰三氧化钙界面双极场诱导电阻切换的载体跳跃机制
6. Enhanced stability of filament-type resistive switching by interface engineering [O] . Y. B. Zhu, K. Zheng, X. Wu, -1

机译：通过接口工程增强灯丝型电阻开关的稳定性
7. Approaches for improving the performance of filament-type resistive switching memory [O] . WenTai Lian, ShiBing Long, HangBing Lü, 2011

机译：改善灯丝型电阻开关存储器性能的方法

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