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机译:多孔III族氮化物层中线脱位密度降低的建模
Dmitry M. Artemiev; Tatiana S. Orlova; Vladislav E. Bougrov; Maxim A. Odnoblyudov; Alexei E. Romanov;
机译:III型氮化物层中降低位错密度的模型
机译:多孔III-氮化物层中降低位错密度的模型
机译:异外延层中螺纹位错密度降低的模型; 2。有效的位移动力学
机译:GaN多孔层螺纹脱位密度降低的反应动力学模型
机译:具有非常低的螺纹位错密度的氮化镓层的生长。
机译:接近无应变的GaN兼容缓冲层上GaN外延层中的超低穿线位错密度及其在异质外延LED中的应用
机译:III-氮化物外膜中分离的螺纹脱位的异质成核
机译:使用渐变层和平面化来控制螺纹错位密度
机译:使用渐变GeSi层和平坦化控制Si上Ge中的螺纹位错密度
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