Analysis of neutron damage in high-temperature silicon carbide JFETs

机译：高温碳化硅JFET中子损伤分析

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F.B. McLean; J.M. McGarrity; C.J. Scozzie; C.W. Tipton; W.M. DeLancey;
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年度 1994
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1. Analysis of neutron damage in high-temperature silicon carbide JFETs [J] . McLean F.B., McGarrity J.M. IEEE Transactions on Nuclear Science . 1994,第6期

机译：高温碳化硅JFET中子损伤的分析
2. High-temperature neutron irradiation effects on CVD-diamond, silicon and silicon carbide [J] . Toyohiko Yano, Takashi Sawabe, Katsumi Yoshida, Journal of Nuclear Materials: Materials Aspects of Fission and Fusion . 2009,第Null期

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3. Analysis of primary damage in silicon carbide under fusion and fission neutron spectra [J] . Guo Daxi, Zang Hang, Zhang Peng, Journal of Nuclear Materials: Materials Aspects of Fission and Fusion . 2014,第1a3期

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4. A High-Temperature (225 °C+) Silicon-on-Insulator (SOI) Gate Driver IC for Silicon Carbide (SiC) JFET [C] . E. Cilio, J. Hornberger, R. Schupbach, International Conference and Exhibition on High Temperature Electronics . 2008

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5. Silicon carbide JFET integrated circuit technology for high-temperature sensors. [D] . Patil, Amita C. 2009

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