首页> 外文OA文献 >β-GaN Avalanche Transit Time Diode as a Potential Source at Millimeter Wave Window Frequency

【2h】

β-GaN Avalanche Transit Time Diode as a Potential Source at Millimeter Wave Window Frequency

机译：β-GaN雪崩传输时间二极管作为毫米波窗频率的潜在源

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Soumen Banerjee; Oishee Mandal; Saswati Halder; Debashree Bhowmik; Arinima Saha;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2014
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Effect of a Low-Frequency Noise Signal on the Supply Circuit of the Millimeter-Band Generator of Single-Frequency and Chaotic Oscillations Designed on an Avalanche Transit-Time Diode [J] . Myasin E. A., Kotov V. D. Journal of Communications Technology and Electronics . 2018,第10期

机译：低频噪声信号对基于雪崩瞬态二极管设计的单频和混沌振荡毫米波发生器电源电路的影响
2. Chaotization of Oscillations in a Single-Frequency Millimeter-Band Impact Avalanche and Transit-Time Diode Oscillator under the Influence of a Low-Frequency Harmonic Oscillation [J] . Myasin E. A., Kotov V. D. Journal of Communications Technology and Electronics . 2018,第9期

机译：低频谐波振荡影响下的单频毫米带冲击雪崩和瞬态二极管振荡器的振荡混沌化
3. S-parameter characterization and lumped-element modelling of millimeter-wave single-drift impact-ionization avalanche transit-time diode [J] . Zhang Wogong, Yamamoto Yuji, Oehme Michael, Japanese journal of applied physics . 2016,第4s期

机译：毫米波单漂移碰撞电离雪崩渡越时间二极管的S参数表征和集总建模
4. Theoretical analysis of wurtzite and zincblende phase GaN avalanche transit time device in millimeter-wave frequencies [C] . Meng, C.C., Liao, . 1999

机译：纤锌矿和闪锌矿相GaN雪崩渡越时间器件的毫米波理论分析
5. Planar diodes for millimeter and sub-millimeter wave oscillators. [D] . Kidner, Curtis Linn. 1995

机译：用于毫米波和亚毫米波振荡器的平面二极管。
6. IMPATT Diodes Based on 〈111〉 〈100〉 and 〈110〉 Oriented GaAs: A Comparative Study to Search the Best Orientation for Millimeter-Wave Atmospheric Windows [O] . Bhadrani Banerjee, Anvita Tripathi, Adrija Das, 2015

机译：基于〈111〉〈100〉和〈110〉定向GaAs的IMPATT二极管：比较研究以寻找毫米波大气窗口的最佳方向
7. Millimeter-Wave Avalanche Noise Sources Based on p-i-n Diodes in 130 nm SiGe BiCMOS Technology: Device Characterization and CAD Modeling [O] . Federico Alimenti, Guendalina Simoncini, Gianluca Brozzetti, 2020

机译：基于P-I-N二极管的毫米波雪崩噪声源130 nm SiGe BICMOS技术：设备表征和CAD建模
8. Millimeter Wave Avalanche Transit Time Diode Amplifier. [R] . chen,wen c. sims,leslie h. 1974

机译：毫米波雪崩传输时间二极管放大器。

β-GaN Avalanche Transit Time Diode as a Potential Source at Millimeter Wave Window Frequency

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅