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Study of resonant transport in InAs-based quantum hot electron transistors

机译：基于INAS的量子热电子晶体管谐振输送的研究

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H. Nguyen Van; A. N. Baranov; R. Teissier; M. Zaknoune;
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年度 2020
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1. Study of resonant transport in InAs-based quantum hot electron transistors [J] . H. Nguyen Van, A. N. Baranov, R. Teissier, AIP Advances . 2020,第7期

机译：基于INAS的量子热电子晶体管谐振输送的研究
2. Effect of near-ballistic photoelectron transport on resonant plasma-assisted photomixing in high-electron mobility transistors [J] . M Ryzhii, V Ryzhii, M S Shur Semiconductor science and technology . 2004,第4期

机译：近弹道光电子传输对高电子迁移率晶体管中共振等离子体辅助光混合的影响
3. Modeling electron transport in InGaAs-based resonant-tunneling hot-electron transistors [J] . Ohnishi H., Yokoyama N. IEEE Transactions on Electron Devices . 1989,第10期

机译：在基于InGaAs的谐振隧道热电子晶体管中模拟电子传输
4. Monte Carlo study of ballistic effects in high speed InAs-based quantum hot electron transistor [C] . Sabatini G., Palermo C., Ziade P., 35th International Conference on Infrared Millimeter and Terahertz Waves . 2010

机译：蒙特卡洛研究基于InAs的量子热电子晶体管的高速弹道效应
5. Ballistic transport of hot electrons and intervalley resonant tunneling in semiconductor quantum well heterostructure devices. [D] . Carnahan, Robert Earl. 1994

机译：半导体量子阱异质结构器件中热电子的弹道传输和音程共振隧穿。
6. Quantum Transport in a Silicon Nanowire FET Transistor: Hot Electrons and Local Power Dissipation [O] . Antonio Martinez, John R. Barker 2020

机译：硅纳米线FET晶体管中的量子传输：热电子和局部功耗
7. A self-consistent numerical method for simulation of quantum transport in high electron mobility transistor; part II: The full quantum transport [O] . R. Khoie 1996

机译：一种高电子迁移率晶体管中量子输运的自洽数值方法；第二部分：全量子传输
8. Design, Fabrication and Operation of a Hot Electron Resonant Tunneling Transistor. [R] . Reddy, U. K., Mehdi, I., Mains, R. K., 1989

机译：热电子谐振隧穿晶体管的设计，制作和操作。

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